摘要: Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T高隔离开关具有低电流消耗,低插入损耗,低谐波产生高达6GHz。该开关专为LTE和5G反馈接收应用设计,并通过MIPI RFFE控制器控制。BGS15MU14高隔离开关提...
Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T高隔离开关具有低电流消耗,低插入损耗,低谐波产生高达6GHz。该开关专为LTE和5G反馈接收应用设计,并通过MIPI RFFE控制器控制。BGS15MU14高隔离开关提供了经济的GaAs性能和传统CMOS的集成,包括固有的更高的ESD鲁棒性。该开关工作在-0.5V到2.2V供电电压范围,100μA供电电流,20dBm输入功率。BGS15MU14高隔离开关存储温度范围为-55°C ~ 150°C,结温为125°C。
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