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英飞凌科技BGS15MU14 SP5T高隔离开关的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-08-05

摘要: Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T高隔离开关具有低电流消耗,低插入损耗,低谐波产生高达6GHz。该开关专为LTE和5G反馈接收应用设计,并通过MIPI RFFE控制器控制。BGS15MU14高隔离开关提...

Infineon Technologies BGS15MU14 SP5T高隔离开关具有低电流消耗,低插入损耗,低谐波产生高达6GHz。该开关专为LTE和5G反馈接收应用设计,并通过MIPI RFFE控制器控制。BGS15MU14高隔离开关提供了经济的GaAs性能和传统CMOS的集成,包括固有的更高的ESD鲁棒性。该开关工作在-0.5V到2.2V供电电压范围,100μA供电电流,20dBm输入功率。BGS15MU14高隔离开关存储温度范围为-55°C ~ 150°C,结温为125°C。


特性

  • 高线性度
  • 转换速度快
  • 低插入损耗和高端口到端口隔离高达6GHz
  • 低电流消耗
  • 符合MIPI RFFE 2.1的控制接口
  • 超低轮廓无铅塑料封装
  • 小尺寸尺寸1.5毫米x 1.9毫米
  • 符合RoHS和WEEE要求

规范

  • -0.5V至2.2V供电电压范围
  • 100μ电源电流
  • 20dBm高线性输入功率
  • 1.65V ~ 1.95V供电电压范围
  • 频率范围0.4GHz ~ 6GHz
  • 存储温度范围为-55℃~ 150℃
  • 125°C结温
  • 环境温度范围为-40℃~ 85℃

框图


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