摘要: 47L64 64kbit I2C EERAM采用SRAM内存内核,并带有隐藏的EEPROM备份。47L64是一个完全对称的读/写SRAM,在任何电源中断的设备上处理对EEPROM的备份。这允许设备作为一个SRAM,从不丢失数据。该设备结构为...
微芯科技47L64 64kbit I2C EERAM采用SRAM内存内核,并带有隐藏的EEPROM备份。47L64是一个完全对称的读/写SRAM,在任何电源中断的设备上处理对EEPROM的备份。这允许设备作为一个SRAM,从不丢失数据。该设备结构为一个64 kbit SRAM,每个存储单元都有EEPROM备份。SRAM被组织为8,192 x 8位并使用I(2)C串行接口。
8192 x 8位串行SRAM,内部非易失性数据备份
I(2)C接口:高达3MHz的施密特触发器输入噪声抑制
低功耗CMOS技术:有功电流:5mA(最大);待机电流:500μA(最大);休眠电流:最大3μA
基于单元的非易失性备份以单元对单元的方式镜像SRAM阵列,并并行地在SRAM单元之间传输所有数据(同时在所有单元之间传输)
对用户不可见的数据传输:设备内部监控VCC级别,SRAM在电源中断时自动保存,SRAM在VCC返回时自动恢复
至少100000备份(20°C)
100年保存(20°C)
工作电压范围:2.7V-3.6V
温度范围工业(I) -40至85°C,扩展(E) -40至125°C
8-SOIC (150mil宽)封装;8-DFN (2 x3mm)包
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