摘要: 意法半导体MASTERGAN1和MASTERGAN2电源系统封装实现了一种高功率密度电源,在半桥结构中集成了一个栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成电源gan具有150毫欧的R(DS(ON))和650V漏源击穿电压。集成自举二极管可以...
意法半导体MASTERGAN1和MASTERGAN2电源系统封装实现了一种高功率密度电源,在半桥结构中集成了一个栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成电源gan具有150毫欧的R(DS(ON))和650V漏源击穿电压。集成自举二极管可以快速地提供嵌入式门驱动的高侧。
STM MASTERGAN1和MASTERGAN2设备在下部和上部驱动部分提供UVLO保护。这种保护可以防止电源开关在低效率或危险的条件下工作,联锁功能可以避免交叉导电的情况。输入引脚的扩展范围可以方便地与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器进行接口。
MASTERGAN1和MASTERGAN2操作在工业温度范围-40°C至+125°C,并可在一个紧凑的9mm x 9mm QFN包。
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