摘要: 亚德诺半导体ADuM4221/-1/-2评估板(EVAL-ADuM4221EBZ、EVAL-ADuM4221-1EBZ和EVAL-ADUM4221-2EBZ)为ADuM4221/-1/-2隔离半桥门驱动器提供了演示和开发平台。ADuM42...
亚德诺半导体ADuM4221/-1/-2评估板(EVAL-ADuM4221EBZ、EVAL-ADuM4221-1EBZ和EVAL-ADUM4221-2EBZ)为ADuM4221/-1/-2隔离半桥门驱动器提供了演示和开发平台。ADuM4221/-1/-2采用iCoupler技术,提供独立和隔离的高侧和低侧输出。结合了高速CMOS和单片变压器技术,这些隔离元件提供了卓越的性能特性,优于其他替代方案,如脉冲变压器和门驱动的组合。
ADuM4221评估板功能跳线和螺丝端子配置不同的驱动器条件。
的EVAL-ADuM4221EBZ评估板用ADuM4221填充,它有V(IA)和V(IB)输入和死区时间控制。EVALADuM4221EBZ在V(IA), V(IB)和禁用引脚上使用方波和DC值工作。
的EVAL-ADuM4221-1EBZ评估板填充了ADuM4221-1,它有一个单独的PWM输入和死区时间控制。EVAL-ADuM4221-1EBZ在PWM上使用方波和直流值并禁用引脚。
的EVAL-ADuM4221-2EBZ被ADuM4221-2填充,其中有V(IA)和V(IB)。EVAL-ADuM4221-2EBZ在V(IA), V(IB)和DISABLE引脚上操作方波和dc值。
ADuM4221/-1/-2评估板包括高侧电源启动到低侧电源的规定。评估板便于测试传播延迟、驱动强度、死区操作和设备的输入逻辑。该板还包括to -220和to -252封装中的绝缘栅双极晶体管(igbt)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的封装,使ADuM4221、ADuM4221-1或ADuM4221-2能够与许多不同的功率器件进行评估。
可调死时间
输出电压范围为35V
螺丝端子,便于连接
外部串联栅极电阻器的衬垫位置
电容负载测试的衬垫放置
支持TO-220或TO-252 igbt或mosfet
引导选项
跳投位置,便于半桥设置
一次侧电源0V至6.5V在100mA
2个次级侧电源0V至35V在250mA
0V至5V方波发生器
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