安森美半导体的NTMFS3D6N10MCL单n通道功率MOSFET是为提供高性能的紧凑和高效设计而设计的。该MOSFET具有低漏源电阻(R(DS(on)))以最小化传导损耗和低电容以最小化驱动损耗。NTMFS3D6N10MCL MOSFET可在一个小的占地面积扁平铅封装，5mm x 6mm尺寸。典型的应用包括一次DC-DC MOSFET, DC-DC和AC-DC的同步整流，电机驱动器和开关电源。

特性

• 小型占地面积5mm x 6mm，设计紧凑

• 低R(DS(on))以减少传导损耗

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• 100V漏源极电压(V(DSS))

• R (DS(上)(最大):
  

• 3.6欧姆10 v

• 在4.5 v 5.8欧姆

• 131I(D)(最大)

应用程序

• 主直流-直流场效应晶体管

• 直流-直流和交直流同步整流器

• 马达驱动器

• 开关电源

• 同步整流(SR) MOSFET在USB C型设计

性能图表