安森美半导体的NVMFS015N10MCL单n通道功率MOSFET被设计为紧凑和高效的设计，包括高热性能。该MOSFET提供低漏源电阻(R(DS(on)))以最小化传导损耗和低栅电荷(Q(G))/电容以最小化驱动损耗。NVMFS015N10MCL MOSFET是AEC-Q101合格的和PPAP能力。该MOSFET采用小5mm×6mm DFN5扁平引线封装。典型的应用包括电磁驱动器中的反向电池保护，电机控制中的电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)，以及开关电源。

特性

• 低R(DS(on))以减少传导损耗:

• 12.2欧姆10 v

• 在4.5 v 18.3欧姆

• 漏极-源极电阻(V((BR)DSS))

• 最大漏极电流(I(D))

• AEC-Q101合格，PPAP能力强

• 占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑

规范

• 电磁驱动器的反向电池保护

• 用于电机控制的电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)

• 开关电源

性能图表