安森美单n通道MOSFET是一种功率MOSFET，具有低R(DS(ON))，使传导损耗最小化。该MOSFET提供了一个低的总栅电荷(Q(G))和电容，以最小化驱动损耗。NTBLS4D0N15MC MOSFET降低了开关噪声/EMI，并具有187A最大连续漏极电流(I(D))和150V漏极到源极电压(V(DSS))。典型的应用包括电动工具，电池操作的真空吸尘器，无人机(UAV)/无人机，材料处理，电池管理系统(BMS)/存储，和家庭自动化。

特性

• 低R(DS(on))以减少传导损耗:

• 10V时4.4毫欧(最大

• 在8V时4.9毫欧(最大

• 150 V V (DSS)

• 187I(D)(最大)

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• 降低开关噪声/ EMI

应用程序

• 电动工具

• 电池驱动的真空吸尘器

• 无人机(UAV)/无人驾驶飞机

• 材料处理

• 电池管理系统(BMS)/存储

• 家庭自动化

性能图表