安森美半导体NVBG160N120SC1 160毫欧SiC MOSFET提供优越的开关性能和更高的可靠性相比硅。这个MOSFET具有1200V漏极到源极电压(V(DSS))和19.5A最大漏极电流(I(D))。NVBG160N120SC1 MOSFET提供低通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保低电容和栅极充电。这种MOSFET提供了高效率、更快的操作频率、增加的功率密度、减少电磁干扰(EMI)和减小系统尺寸。NVBG160N120SC1 MOSFET符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用，如汽车车载充电器和电动汽车/HEV的汽车DC/DC变换器。

特性

• 与硅相比，优越的开关性能和更高的可靠性

• 160毫欧典型漏源电阻(R(DS(on))

• 1200V漏极-源极电阻(V((BR)DSS)

• 最大漏极电流(I(D))

• 33.8nC超低栅电荷(Q(G(tot)))

• 50.7pF低有效输出电容(典型)(C(OSS))

• 根据AEC-Q101获得汽车应用资格

• 100%雪崩测试

应用程序

• 汽车车载充电器

• 电动汽车/混合动力汽车DC/DC变换器

• 逆变器

性能图表