亚德诺半导体ADuM4221/-1/-2是4A隔离，半桥门驱动器，采用iCoupler 技术，提供独立和隔离的高侧和低侧输出。ADuM4221/-1/-2提供5700 V(rms)隔离增加爬电宽体，16引线SOIC_IC。结合了高速CMOS和单片变压器技术，这些隔离元件提供了卓越的性能特性，优于其他替代方案，如脉冲变压器和门驱动的组合。这些设备的逻辑输入电压范围为2.5V到6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/-1/-2提供了输入和每个输出之间真正的电隔离的好处。

ADuM4221和ADuM4221-1都有重叠保护和允许死区时间调整。在死时间引脚(DT)和GND1引脚之间的单个电阻设置高端和低端输出之间的次级端死时间。

当ADuM4221/-1/-2的内部温度超过TSD (internal thermal shutdown)时，TSD (internal thermal shutdown)会将输出设置为低。因此，这些器件在广泛的正或负开关电压范围内，对绝缘栅双极晶体管(IGBT)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性提供可靠的控制。

特性

• 4A峰值电流(<2欧姆R(DSON_x))

• 2.5V ~ 6.5V输入电源电压

• 4.5V ~ 35.0V输出电源电压

• UVLO V(DD1)最大正向进给阈值2.5V

• V(DDA)和V(DDB)正向阀值的多个UVLO选项
  

• A级:最大4.5V

• B级:最大7.5V

• C级:最大11.6V

• 精确的计时特点
  

• 44ns最大传播延迟

• 可调死区时间，双输入(ADuM4221)

• 可调死区时间和单输入(ADuM4221-1)

• 无死区控制，双输入(ADuM4221-2)

• CMOS输入逻辑电平

• 高共模瞬态150 kv /µs的免疫力

• 高结温操作125°C

• 默认输出低

• 安全和监管批准(待定)
  

• DIN V VDE V 0884-11是V(IORM) = 849V峰值

• 5700V(rms)，持续1分钟

• 通过UL 1577认证
  

• CSA组件验收通知

• VDE合格证书
  

• 增加爬电宽体，16引线SOIC_IC

应用程序

• 开关电源

• 隔离IGBT/MOSFET栅驱动

• 工业逆变器

• 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容

方框图