安森美半导体的NTMFS015N10MCLT1G单n通道功率MOSFET是为需要高热工性能的紧凑和高效设计而设计的。该MOSFET提供低漏源电阻(R(DS(on)))以最小化传导损耗，低栅极电荷(Q(G))和电容以最小化驱动损耗。NTMFS015N10MCLT1G MOSFET是一个小的DFN5封装，5mm x 6mm尺寸。典型的应用包括一次DC-DC MOSFET, DC-DC和AC-DC中的同步整流器(SR)，电机驱动器，以及USB Type-C中的SR。

特性

• 低R(DS(on))以减少传导损耗:

• 12.2毫欧@ 10V(最大)

• 18.3 毫欧@ 4.5V(最大)

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• 100V漏源极电压(V(DSS))

• 漏极电流(I(D))

• 占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑

• DFN5包

应用程序

• 主直流-直流场效应晶体管

• 直流-直流和交直流的同步整流器(SR)

• 马达驱动器

• USB Type-C中的SR

性能图表