安森美NTDS015N15MC屏蔽栅PowerTrench MOSFET是一种n通道MOSFET，设计用于降低通态电阻并保持良好的开关性能。该MOSFET具有150V漏极到源极电压(V(DSS))， 15毫欧最大漏极到源极电阻(R(DS(on))在10V时，和50A漏极电流(I(D))。NTDS015N15MC MOSFET提供低电容以最小化驱动损耗，并提供优化的栅极电荷以最小化开关损耗。典型的应用包括二级电源的同步整流器和电机控制。

特性

• 屏蔽栅MOSFET技术

• 在V(GS) = 10V和I(D) = 29A时，15毫欧最大R(DS(on))

• 150 V V (DSS)

• 50I(D)

• 低R(DS(on))以减少传导损耗

• 低电容，以减少驱动器损耗

• 优化栅极电荷，使开关损耗最小化

应用程序

• 二级电源的同步整流器

• 电机控制

• 主侧48V隔离母线

性能图表