安森美ntp360n80s3z N-Channel superet III是一种高性能功率MOSFET，提供800V击穿电压。该超滤特针对反激变换器的主开关进行了优化，能够降低开关损耗和外壳温度，而不牺牲电磁干扰性能。NTPF360N80S3Z超et内置齐纳二极管，显著提高了静电放电(ESD)能力。典型的应用包括适配器/充电器、LED照明、辅助电源、音频和工业电源。

特性

• 针对反激变换器的一次开关进行了优化

• 降低开关损耗和外壳温度

• 内部齐纳二极管提高ESD能力

• 漏极-源极电压(V(BR(DSS))

• 360毫欧最大漏源电阻(R(DS(on))

• nc典型超低栅电荷(Q(g))

• 最大漏极电流(I(D))

• 2.72µJ @ 400 v低能量存储在输出电容(E (oss))

• 100%雪崩测试

应用程序

• 适配器/充电器

• LED照明

• 辅助电源

• 音频

• 工业强国

性能图表