安森美半导体屏蔽栅PowerTrench mosfet是n通道mosfet，最小化了通态电阻，并通过一流的软体二极管保持了卓越的开关性能。与其他MOSFET相比，这些MOSFET提供更低的Q(rr)。屏蔽栅极功率沟槽mosfet降低开关噪声/电磁干扰(EMI)。这些mosfet具有低R(DS(on))以最小化传导损耗和低Q(G)和电容以最小化驱动器损耗。屏蔽栅PowerTrench mosfet采用了一个小的PQFN8封装，尺寸为5mm×6mm，设计紧凑。典型的应用包括同步整流(SR)、AC-DC和DC-DC电源、AC-DC适配器(USB PD) SR和负载开关。

特性

• 屏蔽栅MOSFET技术

• 低R(DS(on))以减少传导损耗

• 漏源极电压(V(DSS))

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• 100%无钳位电感开关(UIL)测试

应用程序

• 同步整流(SR)

• AC-DC和DC-DC电源

• AC-DC适配器(USB PD) SR

• 负荷开关

性能图表