安森美半导体NVMFD6H846NL双n通道功率MOSFET设计用于紧凑和高效的设计，包括高性能的热性能。该MOSFET具有低R(DS(on))以最小化传导损耗和低Q(G)/电容以最小化驱动器损耗。NVMFD6H846NL MOSFET占地面积小，尺寸为5mm×6mm。该MOSFET是AEC-Q101合格和PPAP能力。典型的应用包括反向电池保护、电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)和开关电源。

特性

• 低漏源电阻(R(DS(on)))，以减少传导损耗:

• 15米欧姆10 v

• 19米欧姆4.5 v

• 31A最大连续漏极电流(I(D))

• 漏极-源极电压(V((BR)DSS))

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• AEC-Q101合格，PPAP能力强

• 占地面积小，5mm x 6mm尺寸，紧凑设计

性能图表