安森美半导体NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比，它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有低开阻和紧凑的芯片尺寸，以确保低电容和栅极电荷。NVBG080N120SC1 MOSFET具有高效率、快速工作频率、增加功率密度、减少电磁干扰(EMI)和减小系统尺寸等特点。典型的应用包括车载充电器和电动汽车/混合动力汽车DC/DC变换器。

特性

• 与硅相比，优越的开关性能和更高的可靠性

• 80欧姆典型R (DS(上))

• 1200V漏极-源极电阻(V((BR)DSS)

• 最大漏极电流(I(D))

• 56nC超低栅电荷(Q(G(tot)))

• 79pF低有效输出电容(典型)(C(OSS))

• 根据AEC-Q101获得汽车应用资格

• 100%雪崩测试

应用程序

• 汽车车载充电器

• 电动汽车/混合动力汽车DC/DC变换器

• 逆变器

性能图表