安森美半导体NTTFS1D8N02P1E n通道功率MOSFET具有紧凑的设计和良好的热性能。该MOSFET提供低漏源电阻(R(DS(on)))以最小化传导损耗，低Q(G)和电容以最小化驱动损耗。NTTFS1D8N02P1E MOSFET提供25V漏极到源极电压(V((BR)DSS))和150A最大漏极电流(I(D))。典型的应用包括DC-DC转换器，电力负载开关，笔记本电池管理，电机控制，二次整流，电池管理，和负载点(POL)。

特性

• 占地面积小的先进电源3.3毫米x 3.3毫米封装技术

• 低R(DS(on))以减少传导损耗:

• 1.3欧姆10 v

• 在4.5 v 1.8欧姆

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• (BR) 25 V V (DSS)

• 150年最多I(D)

应用程序

• 直流-直流转换器

• 电力负荷开关

• 笔记本电池管理

• 电机控制

• 二次整流

• 电池管理

• 装载点(POL)

性能图表