分立封装中的英飞凌CoolSiC mosfet非常适合于硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC变换器或DC-AC变换器。出色的抗寄生开关效应能力，为低动态损耗提供了一个基准，即使是在桥式拓扑中零电压关断电压下。英飞凌的TO- and - SMD产品配有开尔文源引脚，以优化开关性能。

英飞凌以一系列精选驱动IC产品完成了SiC离散产品，满足了超快SiC MOSFET开关特性的需求。CoolSiC mosfet和EiceDRIVER 栅极驱动芯片共同利用了SiC技术的优势:提高效率、节省空间和重量、减少部件数量和增强系统可靠性。

技术特点

·卓越的栅极氧化物可靠性
·稳定、坚固的体二极管
·擅长硬开关拓扑，如伺服驱动
·在快速切换时，最小的切换损耗
·易于设计——由于抗寄生开关效应的健壮性
·短路评级3µs
·擅长软开关拓扑，如电动汽车充电
·开关损耗最低，易于设计
·可采用0V开关

应用程序的好处

·CoolSiC MOSFET在太阳能中的应用
·在相同的逆变器重量下，逆变器功率加倍
·与硅基替代品相比，在高工作温度下的效率降低显著降低
·提供高达2.5倍的功率密度增加
·显示出超过99%的最大效率
·储能系统中的CoolSiC MOSFET
·削减损失高达50%
·在不增加电池尺寸的情况下增加2%的能量
·用于服务器和电信电源的CoolSiC MOSFET
·减少损失高达30%
·加倍达到的密度
·电动汽车充电中的CoolSiC MOSFET
·将充电时间缩短一半
·减少50%的组件数量，但提高效率
·由于效率更高，降低了拥有成本
·减少冷却力

xEV程序

·主逆变器的好处
·增加电池利用率5-10%
·增加功率密度，系统尺寸减少高达80%
·与si - igbt相比，在轻负载条件下降低传导损耗
·车载充电器的好处
·可实现更小的双向三相充电器
·由于切换速度更快，有助于缩小无源组件的尺寸
提高了PFC和DC-DC阶段的效率，最高可达1%
·高压直流-直流变换器的优点
·提供更高的开关频率
·提高功率密度
·提高集成水平