安森美半导体NVTFS6H860NL单n通道功率MOSFET具有紧凑和高效的设计和高性能的热性能。该MOSFET具有低漏源电阻(R(DS(on)))以最小化传导损耗和低电容以最小化驱动损耗。NVTFS6H860NL MOSFET是AEC-Q101合格和PPAP能力。该MOSFET可在一个小WDFN8包3.3mm x 3.3mm尺寸。典型的应用包括反向电池保护、电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)和开关电源。

特性

• 低R(DS(on))以减少传导损耗:

• 20毫欧10V(最大)

• 4.5V(最大)时26毫欧

• 漏极-源极电压(V((BR)DSS))

• 最大漏极电流(I(D))

• 低电容，以减少驱动器损耗

• AEC-Q101合格，PPAP能力强

• 小WDFN8 (8FL)包3.3mm x 3.3mm尺寸

应用程序

• 电磁驱动器的反向电池保护

• 用于电机控制的电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)

• 开关电源

性能图表