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东芝SSM6N951L场效应晶体管(FET)的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-03

摘要： 东芝SSM6N951L场效应晶体管(FET)是一种2kV级HBM硅n通道MOS型晶体管，具有低通阻。该晶体管提供12V的源到源击穿电压，±8V的门到源电压，150°C通道温度。SSM6N951L FET符合RoHS和无卤素标准。这种FET非...

东芝SSM6N951L场效应晶体管(FET)是一种2kV级HBM硅n通道MOS型晶体管，具有低通阻。该晶体管提供12V的源到源击穿电压，±8V的门到源电压，150°C通道温度。SSM6N951L FET符合RoHS和无卤素标准。这种FET非常适合用于电池保护开关电路。

特性

4.4毫欧低通电阻@ V(GS) = 4.5V
2 kv类HBM
符合RoHS和无卤素标准

包装尺寸(毫米)

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