安森美半导体NVMFS3D6N10MCL单n通道功率MOSFET是为紧凑、高效、具有高热性能的设计而设计的。该MOSFET具有低漏源电阻(R(DS(on)))以最小化传导损耗和低Q(G)/电容以最小化驱动损耗。NVMFS3D6N10MCL MOSFET是AEC-Q101合格的和PPAP能力。这个MOSFET在一个小DFN5扁平铅封装与5mm x 6mm尺寸。典型的应用包括48V系统、开关电源、电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)和反向电池保护。

特性

• 低R(DS(on))以减少传导损耗:

• 10V时3.6毫欧(最大)

• 4.5V(最大)时5.8 毫欧

• 漏极-源极电压(V((BR)DSS))

• 最大漏极电流(I(D))

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• AEC-Q101合格，PPAP能力强

• 小型DFN5包，5mm x 6mm尺寸

应用程序

• 电磁驱动48V系统

• 用于电机控制的开关电源

• 反向电池保护

• 电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)

性能图表