SemiQ SiC肖特基二极管模块(并行SBD)通过强大的SiC芯片组和最小化的寄生封装元件提供了增强的性能。SiC肖特基二极管模块设计为低损耗和EMI噪声，低结到外壳的热阻。模块坚固耐用，易于安装，具有独立的温度开关行为。

半iq SiC肖特基二极管在高温下表现出极低的通态电阻，具有出色的开关性能，简化了电力电子系统的热设计。肖特基二极管模块在高频率工作和低电磁干扰时提供了出色的性能。与正TC的VF，并联二极管模块很容易。SiC肖特基二极管模块以零开关损耗运行，显著提高了效率并减少了散热，同时需要更小的散热器。这些特性使二极管模块非常适合应用于直流电源设备的电源、感应加热整流器、焊接设备和高温环境。

特性

• 快,不依赖于温度的开关

• SiC sbd的反向和正向恢复电流为零

• V(F)上的正温度系数

• 低杂散电感

• 出色的高频工作性能

• 低损耗和低EMI噪音

• 非常坚固和容易安装

• 直接安装到散热器(隔离封装)

• 低结到外壳的热阻

• V(F)的正T(C)容易平行化

• 通过无铅认证

应用程序

• 直流电源设备的电源

• 感应加热整流器

• 开关电源

• 焊接设备

• 充电站

• 高温和整流器

规范

• 最大反向电压:600V/650V/1200V/1700V

• -55°C至175°C工作结温度

典型应用电路