安森美ON Semiconductor NTB004N10G n通道功率MOSFET是雪崩能量指定，201A (I(D))， 100V (V(DSS)) n通道增强模式MOSFET，在D²PAK封装。该MOSFET提供低4.2毫欧@10V R(DS(on))，为最大的可靠性提供坚固的技术，并具有比标准MOSFET优越的SOA曲线的热插拔容错。NTB004N10G MOSFET是专门为广泛的SOA应用设计的48V总线，包括48V电信设备、48V热插拔和48V服务器设备。其他典型的应用还包括转换器和电源。

特性

• 雪崩能量指定

• 坚固的技术，最大的可靠性

• 专门为48V总线上的广泛SOA应用程序设计的

• 热插拔特性，比标准MOSFET具有更高的SOA曲线

• 减少传导损失

• 201A高电流能力，100V V(DSS)，低4.2毫欧@10V R(DS(on))

• 免费的包装是可用的

• 通过无铅认证

应用程序

• 转换器

• 电力供应

• 48 v热交换

• 48 v电信设备

• 48 v服务器设备

配置