摘要: ON半导体nbgsxdxn15mc和NVBGSxDxN15MC n通道mosfet具有150V漏极到源极电压(V((BR)DSS)和低开关噪声/EMI。这些器件提供低Q(G)和低电容以减少驱动器损耗和低R(DS(on))以减少传导损耗。nn...
ON半导体nbgsxdxn15mc和NVBGSxDxN15MC n通道mosfet具有150V漏极到源极电压(V((BR)DSS)和低开关噪声/EMI。这些器件提供低Q(G)和低电容以减少驱动器损耗和低R(DS(on))以减少传导损耗。nntbgsxdxn15mc和NVBGSxDxN15MC mosfet有无铅、无卤素/无bfr和符合RoHS要求的D²PAK7封装。典型的应用包括电动工具,电池驱动的真空吸尘器,无人机/无人机,物料搬运,BMS/存储,家庭自动化,工业叉车和牵引控制系统。
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