摘要: 德州仪器UCC21736-Q1单通道栅极驱动程序是一种电隔离单通道栅极驱动程序,设计用于2121V(DC)工作电压下的SiC mosfet和igbt。该设备具有先进的保护功能,最佳的动态性能和鲁棒性。德州仪器UCC21736-Q1有高达±1...
德州仪器UCC21736-Q1单通道栅极驱动程序是一种电隔离单通道栅极驱动程序,设计用于2121V(DC)工作电压下的SiC mosfet和igbt。该设备具有先进的保护功能,最佳的动态性能和鲁棒性。德州仪器UCC21736-Q1有高达±10A的峰值源和吸收电流。输入端与输出端采用SiO(2)容性隔离技术进行隔离,支持高达1.5kV(RMS)的工作电压,12.8kV(PK)的浪涌抗扰能力,隔离屏障寿命超过40年,并提供较低的部分到部分的倾斜,以及>150V/ns共模抗噪(CMTI)。
UCC21736-Q1包括最先进的保护功能,如快速过流和短路检测,分流电流传感支持,和故障报告。它还配备了一个主动米勒钳,输入和输出侧电源UVLO,以优化SiC和IGBT开关行为和鲁棒性。ASC功能可以在系统故障时强制打开电源开关,进一步提高了驱动器的通用性,并简化了系统设计工作、规模和成本。
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