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ON Semiconductor FCB125N65S3 superet III MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-02

摘要： FCB125N65S3 superet III MOSFET是一种高压超级结(SJ) MOSFET，它利用了电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和栅电荷性能。该技术最大限度地减少了传导损耗，提供了卓越的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。F...

FCB125N65S3 superet III MOSFET是一种高压超级结(SJ) MOSFET，它利用了电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和栅电荷性能。该技术最大限度地减少了传导损耗，提供了卓越的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。FCB125N65S3 superet III有助于管理EMI问题，并允许更容易的设计实现。典型的应用包括电信/服务器电源、工业电源和UPS/太阳能。

特性

高压SJ MOSFET
利用电荷平衡技术
最小化传导损失
提供卓越的切换性能
能承受极端的dv/dt速率
650V漏极到源极电压(V(DSS))

漏极到源电阻R(DSON)(最大)
46nC低栅电荷Q(g)(典型)
低有效输出电容C(oss(eff))(典型)
100%雪崩测试

应用程序

电信/服务器电源
工业电源
UPS /太阳能

性能图

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