东芝TRSxxN65FB 650V SiC肖特基势垒二极管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-02

摘要： 东芝TRSxxN65FB 650V SiC肖特基势垒二极管(SBDs)是采用改进结势垒控制肖特基结构(JBS)芯片设计的第2代碳化硅(SiC) SBDs。这些设备具有高浪涌电流能力和低损耗特性，具有非重复的峰值正向浪涌额定电流。TRSxxN...

东芝TRSxxN65FB 650V SiC肖特基势垒二极管(SBDs)是采用改进结势垒控制肖特基结构(JBS)芯片设计的第2代碳化硅(SiC) SBDs。这些设备具有高浪涌电流能力和低损耗特性，具有非重复的峰值正向浪涌额定电流。TRSxxN65FB二极管采用TO-247封装，提供四个(12A、16A、20A和24A)正向直流额定值(两条腿)，支持设备功率的增加。薄晶片技术确保低正向电压和低开关损耗。典型的应用包括功率因数校正(PFC)、太阳能逆变器、服务器不间断电源(UPS)、通信设备、多功能打印机、DC-DC变换器和电动汽车供电设施。

特性

采用改进的结垒控制肖特基结构(JBS)芯片设计的第2(第2)代SiC晶片
650V重复峰值反向电压(V(RRM))
高浪涌电流能力和低损耗特性
通孔，3-pin TO-247封装(15.94mm×20.95mm×5.02mm)
高非重复的正向浪涌峰值电流:
- I(FSM)(每段)/(双段)=52A / 104A (TRS12N65FB)
- I(FSM)(每段)/(双段)=65A / 130A (TRS16N65FB)
- I(FSM)(每条腿)/(两条腿)=79A / 158A (TRS20N65FB)
- I(FSM)(每段)/(两段)=92A / 184A (TRS24N65FB)
低结电容(典型):
- C(j)(每条腿)= 23pF (TRS12N65FB)
- Cj(每腿)= 30pF (TRS16N65FB)
- Cj(每腿)= 38pF (TRS20N65FB)
- Cj(每条腿)= 46pF (TRS24N65FB)

低正向电压:
- @I(F)=6A (TRS12N65FB)
- @I(F)=8A (TRS16N65FB)
- @I(F)=10A (TRS20N65FB)
- @I(F)=12A (TRS24N65FB)
低反向电流(典型):
- I(R)(每条腿)= 0.3µ(TRS12N65FB)
- I(R)(每条腿)= 0.4µ(TRS16N65FB)
- I(R)(每条腿)= 0.5µ(TRS20N65FB)
- I(R)(每条腿)= 0.6µ(TRS24N65FB)