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ON半导体NTNS0K8N021Z & NTNS2K1P021Z小信号mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-02

摘要： 在半导体NTNS0K8N021Z和NTNS2K1P021Z上，小信号mosfet设计用于空间受限的应用与低轮廓XDFN3超小封装。这些mosfet具有1.5V栅极驱动电压(p通道-1.5V)，±8V门源电压(V(GS))和20V漏源极电压(...

在半导体NTNS0K8N021Z和NTNS2K1P021Z上，小信号mosfet设计用于空间受限的应用与低轮廓XDFN3超小封装。这些mosfet具有1.5V栅极驱动电压(p通道-1.5V)，±8V门源电压(V(GS))和20V漏源极电压(V(DSS))。NTNS0K8N021Z和NTNS2K1P021Z小信号mosfet无铅，无卤素/无BFR，并符合RoHS标准。这些设备非常适合空间受限的设计，如小型信号负载开关、高速接口、水平移动、智能手机、平板电脑和其他无线和便携式终端产品。

特性

超低轮廓超小XDFN3包(0.62mm x 0.42mm x 0.4mm)的应用空间非常有限
单p沟道/ n沟道mosfet
-1.5 v门开
不含铅，不含卤素/BFR，符合RoHS要求

应用程序

小信号负载开关
高速接口
其他无线和便携式终端产品

水平变化
智能手机
平板电脑

配置

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