安森美半导体PowerTrench MOSFET提供低R(DS(ON))，同时通过极低的结-环境热电阻(西塔(JA))保持出色的开关性能。这是有可能的，因为硅和Dual Cool 封装技术的进步。PowerTrench mosfet采用100% UIL测试和符合RoHS标准的DFN-8封装。典型的应用包括同步整流器、交直流电源、48V隔离变换器上的主MOSFET和隔离DC-DC变换器。

特性

• Dual Cool 顶部侧冷却PQFN包

• 超低R(DS(on))的高性能技术

• Max R(DS(on)) = 4毫欧at V(GS) = 10V, I(D) = 44A

• Max R(DS(on)) = 8.5毫欧at V(GS) = 6V, I(D) = 22A

• 改进的保暖内衣裤

• 低导通和开关损耗

• 100% UIL测试

• 通过无铅认证

应用程序

• 同步整流器

• 交直流电源

• 48V隔离转换器上的主MOSFET

• 孤立的直流-直流转换器

Configuaration