安森美半导体NTTFSxD1N0xHL N-Channel PowerTrench MOSFET采用高性能屏蔽栅MOSFET技术，用于极低的R(DS(ON))。这些单通道mosfet提供低开关噪声/EMI和100% UIL测试MSL1稳健的封装设计。NTTFSxD1N0xHL mosfet具有无铅、无卤素/无bfr和符合RoHS要求的WDFN8封装。典型的应用包括DC-DC降压变换器、负载点、高效率负载开关和低侧开关、环效应场效应晶体管、DC-DC电源和MV同步降压变换器。

特性

• 极低R(DS(on))的高性能屏蔽栅MOSFET技术

• 低导通损耗和开关损耗

• MSL1稳健的包装设计

• 100% UIL测试

• 无铅，无卤素/无BFR，符合RoHS要求

规范

• NTTFS2D1N04HL:

• Max R(DS(on)) = 2.1毫欧@ V(GS) = 10V, I(D) = 23A

• Max R(DS(on)) = 3.3毫欧@ V(GS) = 4.5V, I(D) = 18A

• NTTFS3D7N06HL:

• Max R(DS(on)) = 3.9毫欧@ V(GS) = 10V, I(D) = 233A

• Max R(DS(on)) = 5.2毫欧@ V(GS) = 4.5V, I(D) = 18A

• NTTFS5D9N08H:
  

• Max R(DS(on)) = 5.9毫欧@ V(GS) = 10V, I(D) = 23A

• Max R(DS(on)) = 9毫欧@ V(GS) = 6V, I(D) = 12A

应用程序

• DC-DC降压转换器和DC-DC电源

• 环脚和负载点

• 高效率负载开关和低侧开关

• MV同步降压转换器