安森美ON Semiconductor NTMFS0D8N02P1E MOSFET在先进的SO-8FL 5mm x 6mm封装中展示了紧凑的设计，卓越的热性能和小的占地面积。这个单n通道MOSFET提供低Q(G)/电容，以最小化驱动损耗，并提供超低R(DS(on))，以最小化导通损耗。NTMFS0D8N02P1E MOSFET是理想的应用于DC-DC转换器，电力负载开关，电机控制，电池管理，笔记本电脑和台式电脑，服务器，电信，计算和通信设备。

特性

• 使用先进的SO-8FL技术的紧凑设计，占地面积小(5mm x 6mm)

• 低R(DS(on))以减少传导损耗

• 优异的热性能

• 低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗

• 无Pb-、无卤素/无BFR、符合RoHS要求的设备

应用程序

• 直流-直流转换器

• 电力负荷开关

• 电机控制

• 电池管理

• 笔记本电脑和台式电脑

• 电信、服务器

• 计算和通信设备

Configuaration