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Vishay General Semiconductor V20PW22高电流密度TMBS整流器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-29

摘要： Vishay General Semiconductor V20PW22高电流密度沟道MOS垒肖特基(TMBS)整流器提供200V最大重复峰值反向电压(V(RRM))和20A最大平均正向整流额定电流(I(F(AV)))。这些器件使用Vish...

Vishay General Semiconductor V20PW22高电流密度沟道MOS垒肖特基(TMBS)整流器提供200V最大重复峰值反向电压(V(RRM))和20A最大平均正向整流额定电流(I(F(AV)))。这些器件使用Vishay的Trench MOS肖特基技术，提供低正向压降、低功耗和高效率运行。Vishay V20PW22设备均可获得AEC-Q101认证。这些特性使得该器件非常适合用于高频DC/DC变换器、自由二极管和极性保护应用。

特性

非常低的轮廓-一个典型的高度1.3毫米
沟槽MOS肖特基技术
理想的自动放置
低正向压降，低功率损耗
高效的操作

满足MSL 1级，每J-STD-020, LF最大峰值260°C
AEC-Q101合格可用
- 汽车订购代码-基础P/NHM3

应用程序

低压高频DC/DC变换器
随心所欲的二极管

极性保护

规范

SlimDPAK (- 252 - ae)情况
模塑材料符合UL 94 V-0可燃性等级
碱性P/N-M3 -无卤素，符合rohs要求
碱性P/NHM3 -无卤素，符合rohs要求，AEC-Q101合格

亚光镀锡引线，每个J-STD-002和jessid 22-B102端子可焊
M3和HM3后缀符合JESD 201 2级晶须测试

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