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Vishay General Semiconductor VX80M100PW双TMBS整流器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-29

摘要： Vishay General Semiconductor VX80M100PW双沟槽MOS Barrier肖特基(TMBS)整流器提供100V最大重复峰值反向电压(V(RRM))和2x40A最大平均正向整流额定值(IF(AV))。这些器件使...

Vishay General Semiconductor VX80M100PW双沟槽MOS Barrier肖特基(TMBS)整流器提供100V最大重复峰值反向电压(V(RRM))和2x40A最大平均正向整流额定值(IF(AV))。这些器件使用Vishay的Trench MOS肖特基技术，提供低正向压降、低功耗和高效率运行。这些Vishay VX80M100PW设备都是AEC-Q101合格的。这些特性使该器件非常适合用于高频DC/DC转换器、开关电源、自由二极管、或ing二极管和反向电池保护应用。

特性

沟槽MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效的操作

锡浴温度最高275°C，每JESD 22-B106 10s
AEC-Q101合格可用
- 汽车订货代码:base P/NHM3

应用程序

高频DC/DC变换器
开关电源
随心所欲的二极管

和ing二极管
商业、工业和汽车的反向电池保护

规范

- 247广告3 l
模塑材料符合UL 94 V-0可燃性等级
碱性P/N-M3 -无卤素，符合rohs要求
碱性P/NHM3 -无卤素，符合rohs要求，AEC-Q101合格

亚光镀锡引线，每个J-STD-002和jessid 22-B102端子可焊
极性如下所示
最大安装扭矩为10 in-lbs

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