HIP2210/HIP2211半桥驱动具有6V到18V的宽广工作供电范围，集成了一个高侧自举二极管，支持驱动100V半桥应用中的高侧和低侧NMOS。该器件具有强大的3A源，4A sink驱动，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，使其成为高频开关应用的最佳选择。V(DD)和boot UVLO防止欠压操作。

HIP2210 PWM引脚提供了一个三电平输入，使用一个单引脚来控制高侧和低侧驱动器。PWM输入逻辑高时,打开高端桥场效应晶体管和下部场效应晶体管是关闭的,当输入逻辑低,下部桥梁打开场效应晶体管和高端场效应晶体管是关闭的,当输入电压在中层,高端和下部桥梁场效应晶体管关闭。PWM阈值水平成正比VREF销外部输入的参考电压,使PWM操作范围在2.7 v至5.5 v逻辑。

HIP2210可在一个10 Ld 4x4mm TDFN包。HIP2211有8 Ld SOIC、8 Ld 4x4mm DFN和10 Ld 4x4mm TDFN包。