ON Semiconductor AFGHL40t65sq和AFGHL50t65sq igbt是第四代高速场停igbt，非常适合汽车应用。阿富汗40t65sq和阿富汗50t65sq igbt为硬交换和软交换提供更高的可靠性和最佳性能。ON Semiconductor的阿富汗40t65sq和阿富汗50t65sq igbt是AEC Q101合格的，提供非常低的开关和导通损耗。

特性

• AEC-Q101合格

• T(J) = 175°C最大结温

• 正温度系数，便于并联操作

• 大电流的能力

• V(CE(Sat)) = 1.6V (Typ.) @ I(C) = 50A低饱和电压

• 100%的零件进行了I(LM)测试

• 快速切换

• 严格的参数分布

• 通过无铅认证

应用程序

• 车载充电器

• 汽车HEV-EV DC-DC变换器

• 图腾柱无桥式PFC

• PTC(列车自动控制系统)

规范

• AFGHL40T65SQ

• 650 v发射极电压

• ±20 v Gate-to-emitter电压

• ±30V瞬态门极到发射极电压

• 40A @ T(C) = 100°C集电极电流

• 80A @ T(C) = 25°C集电极电流

• 160A脉冲集电极电流

• 239W @ T(C) = 25°C最大功耗

• 119W @ T(C) = 100°C最大功耗

• -55 ~ +175°C工作结/存储温度范围

• 300°C最高铅温度。用于焊接目的，1/8"从外壳5秒

• AFGHL50T65SQ
  

• 650 v发射极电压

• ±20 v Gate-to-emitter电压

• ±30V瞬态门极到发射极电压

• 50A @ T(C) = 100°C集电极电流

• 80A @ T(C) = 25°C集电极电流

• 200A脉冲集电极电流

• 268W @ T(C) = 25°C最大功耗

• 134W @ T(C) = 100°C最大功耗

• -55 ~ +175°C工作结/存储温度范围

• 300°C最高铅温度。用于焊接目的，1/8"从外壳5秒

概述