安森美ON Semiconductor FGHL50T65SQDT IGBT是第四代现场停止IGBT提供最优性能。igbt可以很容易的并行工作，低导通和开关损耗。ON半导体FGHL50T65SQDT IGBT是理想的应用，低导通和开关损耗是必不可少的。这些包括太阳能逆变器，UPS，焊机，电信，ESS和PFC应用。

特性

• 正温度系数

• V(CE(sat)) =1.47V (Typ.) @ I(C) = 50A低饱和电压

• 正温度系数，便于并联操作

• 快速切换

• T(J) =175°C最大结温

• 大电流的能力

• 100%测试的零件为I(LM)

• 高输入阻抗

• 收紧参数分布

• Pb-Free

• 通过无铅认证

应用程序

• 太阳能逆变器

• 联合包裹

• 焊机

• ESS

• PFC

规范

• 650V集电极到发射极电压

• ±20V门极到发射极电压

• ±30V瞬态门极到发射极电压

• 100A @ T(C) = 25°C集电极电流

• 50A @ T(C) = 25°C集电极电流

• 200A脉冲集电极电流

• 75A @ T(C) = 25°C二极管正向电流

• 50A @ T(C) = 25°C二极管正向电流

• 300A脉冲二极管最大正向电流

• 268W @ T(C) = 25°C最大功耗

• 134W @ T(C) = 100°C最大功耗

• -55 ~ +175°C工作结/存储温度范围

• 265°C最高焊接温度，1/8 "从外壳5秒

概述