ON Semiconductor AFGHL40t65sqd和AFGHL50t65sqd igbt是第四代高速场停止igbt，非常适合汽车应用。AFGHL40t65sqd和AFGHL50t65sqd igbt为硬交换和软交换提供更高的可靠性和最佳性能。ON Semiconductor的AFGHL40t65sqd和AFGHL50t65sqd igbt是AEC Q101合格的，提供非常低的开关和导通损耗。

特性

• AEC-Q101合格

• T(J) = 175°C最大结温

• 正温度系数，便于并联操作

• 大电流的能力

• V(CE(Sat)) = 1.6V (Typ.) @ I(C) = 40A低饱和电压

• 100%的零件都经过了ILM测试

• 快速切换

• 严格的参数分布

• 通过无铅认证

应用程序

• 硬切换

• 直流-直流转换器

• 图腾柱无桥式PFC

• PTC(列车自动控制系统)

• 汽车

• Automotive HEV - EV板载充电器

• Automotive HEV-EV DC-DC变换器

规范

• AFGHL40T65SQD

• 650 v发射极电压

• ±20 v Gate-to-emitter电压

• ±30V瞬态门极到发射极电压

• 40A @ T(C) = 100°C集电极电流

• 80A @ T(C) = 25°C集电极电流

• 160A脉冲集电极电流

• 80A @ T(C) = 25°C二极管正向电流

• 20A @ T(C) = 100°C二极管正向电流

• 160A脉冲二极管最大正向电流

• 238W @ T(C) = 25°C最大功耗

• 119W @ T(C) = 100°C最大功耗

• -55 ~ +175°C工作结/存储温度范围

• 300°C最高铅温度。用于焊接目的，1/8"从外壳5秒

• AFGHL50T65SQD

• 650 v发射极电压

• ±20 v Gate-to-emitter电压

• ±30V瞬态门极到发射极电压

• 50A @ T(C) = 100°C集电极电流

• 80A @ T(C) = 25°C集电极电流

• 200A脉冲集电极电流

• 80A @ T(C) = 25°C二极管正向电流

• 30A @ T(C) = 100°C二极管正向电流

• 200A脉冲二极管最大正向电流

• 268W @ T(C) = 25°C最大功耗

• 134W @ T(C) = 100°C最大功耗

• -55 ~ +175°C工作结/存储温度范围

• 300°C最高铅温度。用于焊接目的，1/8"从外壳5秒

概述