摘要: pSemi PE29101和PE29102高速FET驱动器用于控制外部功率器件的栅极,如增强模式氮化镓(GaN) FET。PE29101和PE29102的驱动输出能够提供亚纳秒范围内的切换转换速度,用于高达40MHz的切换应用。PE2910...
pSemi PE29101和PE29102高速FET驱动器用于控制外部功率器件的栅极,如增强模式氮化镓(GaN) FET。PE29101和PE29102的驱动输出能够提供亚纳秒范围内的切换转换速度,用于高达40MHz的切换应用。
PE29101工作电压范围为4.0V ~ 6.5V,可支持高侧浮动电源电压80V。包括内部同步自举管理块,以限制自举电容在反导期间的过充电。
PE29101还具有死区时间调整功能,允许用户控制低侧(LS)和高侧(HS)门的时间,以消除任何大的射穿电流,这可能会显著降低电路的效率,并可能损坏GaN晶体管。两个外部电阻控制死区控制器模块的输出时序。死区电阻只控制低侧门(LSG)输出;高侧门(HSG)输出总是等于PWM输入的占空比。
PE29102不包含自举管理模块,但工作电压从4V到6V,可支持60V的高侧浮动电源电压。它在死时间电路中使用了一种稍微不同的定时方案,因为死时间电阻控制LSG和HSG输出的上升边缘。
PE29102还具有相位控制引脚,反向HSG和LSG输出。当使用两个PE29102驱动用于高保真D类音频放大器时,该功能方便于全桥拓扑。
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