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pSemi PE29101 & PE29102高速FET驱动器的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-07-29

摘要: pSemi PE29101和PE29102高速FET驱动器用于控制外部功率器件的栅极,如增强模式氮化镓(GaN) FET。PE29101和PE29102的驱动输出能够提供亚纳秒范围内的切换转换速度,用于高达40MHz的切换应用。PE2910...

pSemi PE29101和PE29102高速FET驱动器用于控制外部功率器件的栅极,如增强模式氮化镓(GaN) FET。PE29101和PE29102的驱动输出能够提供亚纳秒范围内的切换转换速度,用于高达40MHz的切换应用。


PE29101工作电压范围为4.0V ~ 6.5V,可支持高侧浮动电源电压80V。包括内部同步自举管理块,以限制自举电容在反导期间的过充电。

PE29101还具有死区时间调整功能,允许用户控制低侧(LS)和高侧(HS)门的时间,以消除任何大的射穿电流,这可能会显著降低电路的效率,并可能损坏GaN晶体管。两个外部电阻控制死区控制器模块的输出时序。死区电阻只控制低侧门(LSG)输出;高侧门(HSG)输出总是等于PWM输入的占空比。

PE29102不包含自举管理模块,但工作电压从4V到6V,可支持60V的高侧浮动电源电压。它在死时间电路中使用了一种稍微不同的定时方案,因为死时间电阻控制LSG和HSG输出的上升边缘。

PE29102还具有相位控制引脚,反向HSG和LSG输出。当使用两个PE29102驱动用于高保真D类音频放大器时,该功能方便于全桥拓扑。


特性

  • 高侧和低侧FET驱动输出
  • 低输出下拉(sink)阻抗,1.5欧姆或以下(典型)
  • 2A/4A峰值源/吸收电流
  • 集成死区控制
  • 快速传播延迟,小于10ns(典型)
  • 亚纳秒的升降时间
  • 最小脉宽(典型)
  • 低电感,小的倒装芯片封装

应用程序

  • D类音频
  • 直流-直流转换
  • 交直流转换
  • 无线充电
  • 包络跟踪
  • 激光雷达

应用笔记

  • 使用游隼高速场效应晶体管驱动器

PE29101功能图



PE29102功能图



计划大纲


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