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transhorm Gen IV SuperGaN fet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-29

摘要： transhorm Gen IV SuperGaN fet是一种正常关闭的器件，能够实现AC-DC无桥图腾柱PFC设计。这些fet具有高压氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)和低压硅MOSFET，并提供卓越的可靠性和性能。Gen IV Su...

transhorm Gen IV SuperGaN fet是一种正常关闭的器件，能够实现AC-DC无桥图腾柱PFC设计。这些fet具有高压氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)和低压硅MOSFET，并提供卓越的可靠性和性能。Gen IV SuperGaN 平台采用了先进的epi和专利设计技术，简化了可制造性。这种设计技术提高了硅的效率，具有较低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷。这些Gen IV型fet有两种变体，如TP65H035G4WS, 3-lead TO-247包和TP65H300G4LSG, TP65H300G4LSG, 8×8 PQFN包。

特性

JEDEC-qualified GaN技术
稳健的设计，定义为:
- 宽闸门安全裕度
- 瞬态过电压的能力
增强涌流能力
非常低的Q (RR)
减少交叉损失

实现交直流无桥图腾柱PFC设计:
- 增加功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 整体降低系统成本
在硬交换电路和软交换电路中均实现了更高的效率
容易驾驶与常用的大门驱动器
GSD引脚布局改进了高速设计

应用程序

TP65H035G4WS:
- 数据通信
- 广泛的工业
- 光伏逆变器
- 伺服电机

TP65H300G4LSG:
- 消费者
- 电源适配器
- 低功率smp
- 照明

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