Qorvo QPD0211 48V GaN on SiC HEMT的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > Qorvo QPD0211 48V GaN on SiC HEMT的介绍、特性、及应用

Semiconductors

Qorvo QPD0211 48V GaN on SiC HEMT的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-29

摘要： HEMT(高电子迁移率晶体管)是一种用于Doherty应用的单级功率放大器晶体管。QPD0211的频率范围为2500MHz至2700MHz，线性增益为14.5dB。QPD0211在+48V电压下可提供7.6W的平均功率。特性频率范围为250...

HEMT(高电子迁移率晶体管)是一种用于Doherty应用的单级功率放大器晶体管。QPD0211的频率范围为2500MHz至2700MHz，线性增益为14.5dB。QPD0211在+48V电压下可提供7.6W的平均功率。

特性

频率范围为2500MHz ~ 2700MHz
14.5 db的增益
46.8dBm输出功率(P(SAT))

排水效率为55%
+48V工作漏电压(V(d))
7.0mm x 6.5mm DFN封装

应用程序

w - cdma / LTE
宏单元基站驱动程序
微蜂窝基站

小细胞
有源天线
5 g mMIMO

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：MAX20028EVKIT集成评估套件的介绍、特性、及应用

下一篇：瑞萨电子RL78/G1P快速原型板的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308