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微芯科技4mbsst26vf040a NOR闪存的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-07-29

摘要: 4mbit SST26VF040A NOR闪存是串行四次I/O(SQI)系列闪存设备,具有六线和4位I/O接口。这个六线,4位I/O接口允许低功耗和低引脚计数包。这些NOR闪存提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。4mbit的SST26VF0...


    微芯科技4mbit SST26VF040A NOR闪存是串行四次I/O(SQI)系列闪存设备,具有六线和4位I/O接口。这个六线,4位I/O接口允许低功耗和低引脚计数包。这些NOR闪存提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。4mbit的SST26VF040A闪存也支持对传统串行外设接口(SPI)协议的完全命令集兼容。这些设备在2.3V到3.6V的单电源电压范围内写入(程序或擦除)。SST26VF040A NOR flash提供了一种软件写保护方案,允许对存储器阵列中选定的块进行组保护。这些NOR闪存是AEC-Q100合格的,并符合RoHS标准。


    特性

    • 单电压读写操作:

      • 2.7V ~ 3.6V或2.3V ~ 3.6V电压范围

    • 串行接口架构:

      • 模式0和模式3

      • x1/x2/x4 SPI (Serial Peripheral Interface)协议

      • 具有类似spi的串行命令结构的蚕食范围多路I/O:

    • 高速时钟频率:

      • 最大2.7V至3.6V 104MHz(工业)

      • 最大2.3V至3.6V 80MHz(工业及扩展)

    • 破裂模式:

      • 连续线性破裂

      • 8/16/32/64字节线性突发,带绕包

    • 优越的可靠性:

      • 10万次(最低)耐力

      • 数据保存期大于100年

    • 低功耗消费:

      • 15mA(典型的@ 104MHz)主动读电流

      • 15µ(典型的)待机电流

    • 快速消除时间:

      • 40毫秒(典型)及50毫秒(最大)

      • 20ms(典型)及25ms(最大)

      • 部门/块擦除:

      • 芯片擦除

    • 培训项目:

      • 在x1或x4模式下,每页256字节

    • End-of-write检测:

      • 软件轮询状态寄存器中的忙位

    • 灵活的删除功能:

      • 制服4-Kbyte行业

      • 统一的32kbyte覆盖块

      • 统一的64kbyte覆盖块

    • Write-suspend:

      • 暂停程序或删除操作以访问另一个块/扇区

    • RST (Software Reset)模式

    • 软件写保护:

      • 在状态寄存器中通过块保护位进行写保护

    • 安全标识:

      • 一次性可编程(OTP) 2kbyte安全ID:

      • 128位的唯一和工厂预编程标识符

    • 可编程领域

    • 温度范围:

      • -40°C至85°C工业范围

      • -40°C到125°C扩展范围

    • 汽车AEC-Q100合格

    • 包:

      • 8触点WDFN (6mm x 5mm)

      • 8-lead SOIC(3.90毫米)

    • 通过无铅认证


    框图



    机械制图(毫米)


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