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pSemi UltraCMOS 四极MOSFET混频器的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-07-29

摘要: pSemi UltraCMOS 四极MOSFET混频器是宽带,四极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)阵列磁芯。这些集成的接收混频器具有高线性度、图像抑制、本振隔离、低频性能强、单片集成和高可靠性等特点。这些四极MOSFET混频器是...

pSemi UltraCMOS 四极MOSFET混频器是宽带,四极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)阵列磁芯。这些集成的接收混频器具有高线性度、图像抑制、本振隔离、低频性能强、单片集成和高可靠性等特点。这些四极MOSFET混频器是使用Peregrine UltraCMOS工艺制造的,这是一种蓝宝石衬底上的绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体,既具有GaAs的性能,又具有传统CMOS的经济性和集成度。


特性

  • 非常高的线性度
  • 理想的混频器应用
  • 向上/向下转换
  • 变换损耗低
  • 高罗隔离
  • 紧凑的,符合RoHS标准的软件包

应用程序

  • 陆地移动无线(LMR)
  • 便携式收音机
  • 移动无线电通信
  • 细胞基础设施
  • 机顶盒和有线电视系统
  • 医疗仪器
  • 磁共振成像(MRI)
  • 数据采集和ADC/DAC muxing
  • 射频调制/解调
  • 模拟或数字视频切换矩阵

规范


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