摘要: pSemi UltraCMOS 四极MOSFET混频器是宽带,四极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)阵列磁芯。这些集成的接收混频器具有高线性度、图像抑制、本振隔离、低频性能强、单片集成和高可靠性等特点。这些四极MOSFET混频器是...
pSemi UltraCMOS 四极MOSFET混频器是宽带,四极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)阵列磁芯。这些集成的接收混频器具有高线性度、图像抑制、本振隔离、低频性能强、单片集成和高可靠性等特点。这些四极MOSFET混频器是使用Peregrine UltraCMOS工艺制造的,这是一种蓝宝石衬底上的绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体,既具有GaAs的性能,又具有传统CMOS的经济性和集成度。
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