摘要: 2mbit SST26VF020A NOR闪存是串行四次I/O (SQI )系列闪存设备,具有六线和4位I/O接口。这种六线4位I/O接口允许在低引脚计数包中进行低功耗和高性能操作。这些NOR闪存提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。2 mb...
微芯科技2mbit SST26VF020A NOR闪存是串行四次I/O(SQI)系列闪存设备,具有六线和4位I/O接口。这种六线4位I/O接口允许在低引脚计数包中进行低功耗和高性能操作。这些NOR闪存提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。2 mbit SST26VF020A闪存也支持对传统串行外设接口(SPI)协议的完全命令集兼容。这些设备在2.3V到3.6V的单电源电压范围内写入(程序或擦除)。SST26VF020A NOR flash提供了一种软件写保护方案,允许对存储器阵列中选定的块进行组保护。这些NOR闪存是AEC-Q100合格的,并符合RoHS标准。
单电压读写操作:
2.7V ~ 3.6V或2.3V ~ 3.6V电压范围
串行接口架构:
模式0和模式3
x1/x2/x4 SPI (Serial Peripheral Interface)协议
具有类似spi的串行命令结构的蚕食范围多路I/O:
高速时钟频率:
最大2.7V至3.6V 104MHz(工业)
最大2.3V至3.6V 80MHz(工业及扩展)
破裂模式:
连续线性破裂
8/16/32/64字节线性突发,带绕包
优越的可靠性:
10万次(最低)耐力
数据保存期大于100年
低功耗消费:
15mA(典型的@ 104MHz)主动读电流
15µ(典型的)待机电流
快速消除时间:
40毫秒(典型)及50毫秒(最大)
20ms(典型)及25ms(最大)
部门/块擦除:
芯片擦除:
培训项目:
在x1或x4模式下,每页256字节
End-of-write检测:
软件轮询状态寄存器中的忙位
灵活的删除功能:
制服4-Kbyte行业
统一的32kbyte覆盖块
统一的64kbyte覆盖块
Write-suspend:
暂停程序或删除操作以访问另一个块/扇区
RST (Software Reset)模式
软件写保护:
在状态寄存器中通过块保护位进行写保护
安全标识:
128位的唯一和工厂预编程标识符
可编程领域
一次性可编程(OTP) 2kbyte安全ID:
温度范围:
-40°C至85°C工业范围
-40°C到125°C扩展范围
汽车AEC-Q100合格
包:
8触点WDFN (6mm x 5mm)
8-lead SOIC(3.90毫米)
通过无铅认证
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