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Wolfspeed / Cree C3M SiC 1200V mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-28

摘要： Wolfspeed / Cree C3M SiC 1200V MOSFET基于第三代平面MOSFET技术，增加了CGS/CGD比，以获得更好的硬开关性能。这些mosfet包括一个坚固的本征体二极管，允许第三象限操作，而不需要额外的外部二极管...

Wolfspeed / Cree C3M SiC 1200V MOSFET基于第三代平面MOSFET技术，增加了CGS/CGD比，以获得更好的硬开关性能。这些mosfet包括一个坚固的本征体二极管，允许第三象限操作，而不需要额外的外部二极管。C3M SiC mosfet提供高阻塞电压，低导阻和低电容的高速开关。这些mosfet有小型TO-247-3或TO-263-7封装。典型的应用包括可再生能源、高压DC/DC变换器、开关电源(SMPSs)和不间断电源(UPS)。

特性

较高的系统效率
减少冷却需求
增加功率密度
增加系统开关频率

C3M 第三代SiC MOSFET技术
高阻塞电压，低导通电阻
低电容的高速开关
低反向恢复快速本征二极管(Qrr)
无卤通过无铅认证

应用程序

可再生能源
高压DC/DC变换器

开关式电源
联合包裹

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