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Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P-Channel MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-28

摘要： Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P-Channel MOSFET是TrenchFET Gen IV功率MOSFET。SiRA99DP MOSFET提供低导通电阻，最大限度地降低电压降和减少传导损失。...

Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P-Channel MOSFET是TrenchFET Gen IV功率MOSFET。SiRA99DP MOSFET提供低导通电阻，最大限度地降低电压降和减少传导损失。这SiRA99DP MOSFET在-55°C的温度范围150°C。功率MOSFET可在单一配置PowerPAK SO-8包。典型的应用包括负载开关、适配器和充电器开关、电池保护和电机驱动控制。

特性

TrenchFET Gen IV p通道功率MOSFET
极低的R(DS(on))最大限度地降低电压降，减少传导损耗
不需要充电泵

100% R(g)和未夹紧电感开关测试
PowerPAK 所以8包
符合RoHS要求，无卤素

规范

漏源极电压(V(DS))
-195A连续漏极电流(I(D))

104 w功率损耗
工作温度范围:-55°C ~ 150°C

应用程序

适配器和充电器开关
电池和电路保护
和ing

负荷开关
电机驱动控制

典型的输出特性

Infograph

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