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瑞萨电子SRAM存储器和数据存储产品的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-28

摘要： 瑞萨电子SRAM存储器和数据存储产品采用先进的低功耗SRAM技术，提供高密度和高性能的ram。这些SRAM产品的工作范围从-40°C到85°C宽温度范围和2.7V到3.6V (3V部分)或4.5V到5.5V (5V部分)电压范围。SRAM存...

瑞萨电子SRAM存储器和数据存储产品采用先进的低功耗SRAM技术，提供高密度和高性能的ram。这些SRAM产品的工作范围从-40°C到85°C宽温度范围和2.7V到3.6V (3V部分)或4.5V到5.5V (5V部分)电压范围。SRAM存储器和数据存储产品还提供低功耗的待机功耗，适用于内存应用、电池运行和电池备份设计。

特性

LP-SRAM先进技术
高可靠性:极低的软错误率(0.1FIT/Mbit)
长期支持，在产品寿命计划(PLP)下管理
低功耗
电池备份操作

所有输入和输出都是TTL兼容的
公共数据I / O
-40°C至85°C工作温度范围宽
2.7V ~ 3.6V电压范围(3V部分)-或4.5V ~ 5.5V电压范围(5V部分)

应用程序

工业电信
社会基础设施办公自动化

消费者的汽车配件
医疗/保健

瑞萨低功耗SRAM的应用

先进的低功耗SRAM技术，具有卓越的性能和可靠性

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