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Nexperia LFPAK p沟槽场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-28

摘要： Nexperia LFPAK p通道沟槽型mosfet设计并符合AEC-Q101标准，用于高性能汽车应用。这些mosfet具有高的热功率耗散能力。p通道mosfet采用LFPAK56 (Power SO8)表面安装器件(SMD)塑料封装。由...

Nexperia LFPAK p通道沟槽型mosfet设计并符合AEC-Q101标准，用于高性能汽车应用。这些mosfet具有高的热功率耗散能力。p通道mosfet采用LFPAK56 (Power SO8)表面安装器件(SMD)塑料封装。由于额定温度为175°C，这些mosfet适用于热要求高的环境。典型的应用包括反向电池保护、电源管理、高侧负载开关和电机驱动。

特性

高散热能力
适用于温度要求高的环境，额定温度为175°C
沟MOSFET技术

AEC-Q101合格
LFPAK56 (Power SO8)表面安装器件(SMD)塑料封装

应用程序

反向电池保护
电源管理

高端负荷开关
马达驱动

应用电路图

塑料单端SMD封装(LFPAK56;Power-SO8)

LFPAK56足迹概述

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