英飞凌CoolSiC肖特基二极管提供相对高的通态电阻和泄漏电流。在SiC材料中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。英飞凌的SiC肖特基产品组合涵盖600V和650V至1200V肖特基二极管。快速硅基开关与酷派肖特基二极管的组合通常被称为“混合”解决方案。近年来，英飞凌生产了数百万个混合动力模块，并安装在各种客户产品中，如太阳能和UPS。

英飞凌CoolSiC SiC mosfet都是建立在最先进的战壕概念上，设定了一个基准。这允许应用程序的最小损耗和最高的运行可靠性。与温度无关的低开关损耗和额定硬换流的快速、内部自由轮二极管，使分立封装的CoolSiC mosfet成为硬开关和谐振开关拓扑的理想选择。

应用程序的好处

·太阳能应用的好处
·在相同的逆变器重量下，逆变器功率加倍
·与硅基替代品相比，在高工作温度下的效率降低显著降低
·储能系统受益
·削减损失高达50%
·在不增加电池尺寸的情况下增加2%的能量
·服务器和电信电源优势
·减少损失高达30%
·加倍达到的密度
·电动汽车充电的好处
·将充电时间缩短一半
·减少50%的组件数量，但提高效率

xEV程序:

·逆变器的主要优点
·提高电池利用率5-10%
·增加功率密度，系统尺寸减少高达80%
·车载充电器的好处
·可实现更小的双向三相充电器
·由于切换速度更快，有助于减少被动组件的尺寸
·高压直流-直流变换器的优点
·提供更高的开关频率
·提高功率密度

伺服驱动器中的英飞凌coolisic mosfet无风扇驱动导致零维护。由于电机和驱动器的集成，这些设备减少了布线的复杂性。它们还能减少高达80%的总损失。

用于SiC mosfet的英飞凌栅极驱动程序推荐用于驱动碳化硅mosfet。为了在使用SiC mosfet时实现最大的系统效益，建议使用英飞凌的eicdriver门驱动芯片来补充它们，以充分利用SiC技术的优势。通过这样做，客户将实现更高的效率，节省空间和重量，减少零件数量和提高系统可靠性。

选择不同的eicdriver gate-drivers:
·单通道高边紧凑型闸门驱动器
·单、双输出增强驱动，具有短路保护
·回转率控制高侧司机最苛刻的要求

英飞凌的SiC MOSFET驱动具有以下参数:
宽体封装，漏电距离7.6毫米
·适合在高环境温度下操作
·主动铣刀夹
·短路夹紧和主动关机
·≥100 kV/μs CMTI (1EDU20I12SV:≥50 kV/μs CMTI)
·精密短路保护(通过DESAT)
·12V/11V典型UVLO阈值

主打产品

英飞凌CoolSiC Trench功率mosfet在离散封装中提供可靠和具有成本效益的性能:TO-247-3/4引脚和TO-253-7封装。

英飞凌CoolSiC Trench功率mosfet模块1200V碳化硅MOSFET功率模块在简易和62mm外壳，为逆变器设计者实现效率和功率密度开辟了新的机会。

英飞凌CoolSiC混合模块是IGBT芯片和CoolSiC肖特基二极管的组合，进一步扩展了IGBT技术的能力。

英飞凌CoolSiC肖特基二极管是600V, 650V和1200V碳化硅肖特基二极管，提供相对高的通态电阻和泄漏电流。

英飞凌eicdriver栅极驱动芯片是超高速CoolSiC mosfet，通常最好由集成电隔离的栅控驱动ic驱动。