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东芝汽车U-MOSVI功率场效应管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-26

摘要： 东芝汽车U-MOSVI功率mosfet是-40V p通道功率mosfet用于汽车应用。与常规DPAK+封装产品的-6V相比，它们的栅极驱动电压为-4.5V。这使得系统即使在电池电压下降时也可以使用。mosfet具有低导通电阻的特点。特性低导...

东芝汽车U-MOSVI功率mosfet是-40V p通道功率mosfet用于汽车应用。与常规DPAK+封装产品的-6V相比，它们的栅极驱动电压为-4.5V。这使得系统即使在电池电压下降时也可以使用。mosfet具有低导通电阻的特点。

特性

低导通电阻:
- R (DS ) = 1.45欧姆(max) @V v (g) = -10 (TJ200F04M3L)
- R (DS ) = 2.4欧姆(max) @V v (g) = -10 (XPH3R114MC)
- R (DS ) = 3.6欧姆(typ) @V v (g) = -10 (XPH4R714MC)
- R (DS ) = 4.0欧姆(typ) @V v (g) = -10 (TJ80S04M3L)
- R (DS ) = 4.3欧姆(max) @V v (g) = -10 (TJ90S04M3L)
- R (DS ) = 4.8欧姆(typ) @V v (g) = -10 (TJ60S04M3L)
- R (DS(上))= 7.0 毫欧(typ) @V v (g) = -10 (TJ40S04M3L)
- R (DS(上))= 7.4 毫欧(typ) @V v (g) = -10 (XPN9R614MC)
- R (DS(上))= 8.6 毫欧(typ) @V v (g) = -10 (TJ60S06M3L)
- R (DS(上))= 10.3 毫欧(typ) @V v (g) = -10 (TJ40S04M3L)
- R (DS(上))= 16.8 毫欧(typ) @V v (g) = -10 (TJ30S06M3L)
- R(DS(ON)) = 17毫欧(max) @V(GS) = -10V (TJ20S04M3L)
- R (DS ) = 33.8欧姆(typ) @V v (g) = -10 (TJ10S04M3L)
- R (DS ) = 38.5欧姆(max) @V v (g) = -10 (TJ15S06M3L)
- @V(GS) = -10V (TJ8S06M3L)
低栅极驱动电压(-4.5V)
窄门限值电压范围:V(th)= -1.0 ~ -2.0V(窄:1V范围)
热阻:R(th(ch-c))=0.83°C/W (max)
通道温度额定值:T(ch)=175℃
低开关噪声

应用程序

负载开关(更换机械继电器)
马达驱动器

电路的例子

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