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东芝TRSxE65F SiC肖特基势垒二极管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-26

摘要： 东芝TRSxE65F SiC肖特基势垒二极管展示了第二代芯片设计，并有TRS6E65F和TRS8E65F变种。TRSxE65F二极管具有高浪涌电流，小的结电容和小的反向电流。这些二极管的尺寸为10.05毫米×15.3毫米×4.45毫米。TR...

东芝TRSxE65F SiC肖特基势垒二极管展示了第二代芯片设计，并有TRS6E65F和TRS8E65F变种。TRSxE65F二极管具有高浪涌电流，小的结电容和小的反向电流。这些二极管的尺寸为10.05毫米×15.3毫米×4.45毫米。TRSxE65F肖特基二极管非常适合用于功率因数校正、不间断电源和DC-DC变换器。

特性

TRS6E65F:
- 第二代芯片设计
- I(FSM)=55A最大大浪涌电流能力
- C(j)=22pF典型的小结电容
- I(R) = 0.3µ反向电流很小

TRS8E65F:
- 第二代芯片设计
- I(FSM)=69A最大大浪涌电流能力
- C(j)=28pF典型的小结电容
- I(R) = 0.4µ反向电流很小

应用程序

功率因数校正
太阳能逆变器

不间断电源
直流-直流转换器

机械尺寸

性能图

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