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英飞凌技术CoolSiC 1700V SiC沟槽mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-07-26

摘要： 英飞凌CoolSiC 1700V SiC沟槽mosfet采用革命性的碳化硅材料，并优化了飞回拓扑。SiC沟槽mosfet提供12V/0V栅源电压，与大多数回飞控制器兼容。此外，CoolSiC 1700V SiC Trench mosfet可...

英飞凌CoolSiC 1700V SiC沟槽mosfet采用革命性的碳化硅材料，并优化了飞回拓扑。SiC沟槽mosfet提供12V/0V栅源电压，与大多数回飞控制器兼容。

此外，CoolSiC 1700V SiC Trench mosfet可以直接由飞回控制器驱动，并通过降低冷却力来提高效率。

英飞凌CoolSiC 1700V SiC Trench mosfet是能源发电、工业电源和充电基础设施应用的理想选择。

特性

革命性的半导体材料——碳化硅
为反飞拓扑优化
12V/0V栅源电压与大多数回飞控制器兼容
极低开关损耗
基准栅极阈值电压，V(GS(th)) = 4.5V

完全可控的dV/dt EMI优化
降低系统复杂性
直接由飞回控制器驱动
提高效率，减少冷却力
允许更高的频率

应用程序

能源发电
- 太阳能串逆变器和太阳能优化器
基础设施——电荷
- 充电器

工业电源
- 工业联合包裹
- 工业smp

典型的应用程序

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